Veřejná podpora

Nové radiačně odolné mikroelektronické technologie
Poskytovatel dotace: Ministerstvo průmyslu a obchodu ČR
Program: Národní plán obnovy
Název výzvy: Podpora IPCEI v oblasti Mikroelektronika a komunikační technologie
Řešitelé: UJP PRAHA a.s., evolving systems consulting s.r.o., ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o., ČVUT FJFI
Evidenční číslo: 2320000002
Realizace: 01/2024 – 04/2026

Anotace projektu: Hlavním cílem projektu je výzkum a vývoj radiačně odolné mikroelektroniky pro lékařské, průmyslové, kosmické a environmentální aplikace.
Rozpočet projektu: 349 396 749,- CZK
Cíle projektu (pracovní balíčky):
WP1 – Laboratorní komplex pro testování radiační odolnosti ME součástek
WP2 – Radiačně odolné senzory
WP3 – Radiačně odolné ME prvky
WP4 – Radiačně odolná ME pro kosmické aplikace

Projekty spolufinancované EU z Evropského fondu pro regionální rozvoj

• Zavedení výroby nového typu polovodičové vysokonapěťové diody na substrátu karbidu křemíku a integrace nových technologických procesů
  Předmětem projektu je zavedení výroby inovovaného produktu v podobě nového typu polovodičové součástky – vysokonapěťové diody Gen2 na substrátu karbidu křemíku (SiC) o rozměrech 6″ (150 mm). Inovace produktu je doprovázena zavedením unikátního výrobního procesu a technologií umožňující zpracování 6″desek z karbidu křemíku (SiC). To představuje technologický posun na zcela novou úroveň.

• Výzkum a vývoj polovodičových tranzistorů řízených polem na bázi karbidu křemíku
  Cílem projektu je výzkum a vývoj světově konkurenceschopné technologie výroby substrátu karbidu křemíku (SiC) pro pokročilé polovodičové aplikace (MOSFET – Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) s demonstrací kvalifikovanými funkčními vzorky. Pro dosažení světové úrovně výstupů je nezbytný také výzkum a vývoj vhodných metod charakterizace SiC krystalů a desek s uplatněním ve výzkumně-vývojové organizaci i v průmyslové výrobě polovodičových substrátů.

Projekty spolufinancované Technologickou agenturou České republiky

• TE01020233 – Platforma pokročilých mikroskopických a spektroskopických technik pro nano a mikrotechnologie (2012-2019)
• TH01011284 – Nové polovodičové materiály a součástky s velkou šířkou zakázaného pásu (2015-2017)
• TH01010419 – Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT) (2015-17)
• TH02010014 – Nové polovodičové struktury pro pokročilé elektronické aplikace (2017-20)
• TH03020005 – Výzkum a vývoj objemových polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu (2018-20)
• TH03010006 – Výzkum a vývoj vysokonapěťových si diod pro efektivní konverzi vysokých proudových výkonů (2018-20)
• FW01010089 – Výzkum a vývoj digitálních technologií pro pokročilé polovodičové procesy (2020-22)

• FW06010030 – Výzkum a vývoj polovodičových struktur karbidu křemíku (2023-25)

• TK05020011 – Výzkum a vývoj radiačně odolných polovodičových řešení (2023-25)

• TQ16000033 – Laserové broušení karbidu křemíku pro vysoce výkonné polovodičové aplikace – LaPSiC (2025-27)

• TQ15000016 – Monokrystalický karbid křemíku pro novou generaci kvantových fotonických zařízení (2025-26)

Czech Semiconductor Centre (2025-29)

Financování Centra je pro první čtyři roky jeho činnosti zajištěno z prostředků evropské iniciativy Čipy pro Evropu a Ministerstva školství, mládeže a tělovýchovy ČR