Veřejná podpora

Projekty spolufinancované EU z Evropského fondu pro regionální rozvoj

  • Zvýšení efektivity výroby čipů
  • Snížení energetické náročnosti výroby chladu pro technologii výroby tažení křemíku
  • Výroba nové generace křemíkových desek SOI
  • Zavedení výroby nového typu polovodičové součástky Ultra Field Stop TIGBT/SOI pro elektromobily včetně inovované technologie výroby (02/2021 – 05/2023)
    Předmětem projektu je zavedení výroby nového typu polovodičové součástky Ultra Field Stop TIGBT/SOI pro elektromobily včetně inovované technologie výroby. Projekt je zaměřen na výrobu 8“ desek s čipy pro elektromobily  a případné další aplikace.
  • Výzkum a vývoj technologií výroby SiC krystalů a desek pro pokročilé elektronické aplikace (operační program Podnikání a inovace pro konkurenceschopnost) – (01-21 – 05-23)
    Cílem projektu je výzkum a vývoj světově konkurenceschopné technologie výroby substrátu karbidu křemíku (SiC) pro pokročilé polovodičové aplikace (MOSFET – Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) s demonstrací kvalifikovanými funkčními vzorky.
  • Zavedení výroby nového typu polovodičové vysokonapěťové diody na substrátu karbidu křemíku a integrace nových technologických procesů
    Předmětem projektu je zavedení výroby inovovaného produktu v podobě nového typu polovodičové součástky – vysokonapěťové diody Gen2 na substrátu karbidu křemíku (SiC) o rozměrech 6″ (150 mm). Inovace produktu je doprovázena zavedením unikátního výrobního procesu a technologií umožňující zpracování 6″desek z karbidu křemíku (SiC). To představuje technologický posun na zcela novou úroveň.
  • Výzkum a vývoj polovodičových tranzistorů řízených polem na bázi karbidu křemíku
    Cílem projektu je výzkum a vývoj světově konkurenceschopné technologie výroby substrátu karbidu křemíku (SiC) pro pokročilé polovodičové aplikace (MOSFET – Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) s demonstrací kvalifikovanými funkčními vzorky. Pro dosažení světové úrovně výstupů je nezbytný také výzkum a vývoj vhodných metod charakterizace SiC krystalů a desek s uplatněním ve výzkumně-vývojové organizaci i v průmyslové výrobě polovodičových substrátů.

Projekty spolufinancované Technologickou agenturou České republiky

  • TE01020233 – Platforma pokročilých mikroskopických a spektroskopických technik pro nano a mikrotechnologie (2012-2019)
  • TH01011284 – Nové polovodičové materiály a součástky s velkou šířkou zakázaného pásu (2015-2017)
  • TH01010419 – Výzkum a vývoj nových technologií výroby bipolárního tranzistoru s izolovaným hradlem (TIGBT) (2015-17)
  • TH02010014 – Nové polovodičové struktury pro pokročilé elektronické aplikace (2017-20)
  • TH03020005 – Výzkum a vývoj objemových polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu (2018-20)
  • TH03010006 – Výzkum a vývoj vysokonapěťových si diod pro efektivní konverzi vysokých proudových výkonů (2018-20)
  • FW01010089 – Výzkum a vývoj digitálních technologií pro pokročilé polovodičové procesy (2020-22)
logo